首页：展商资讯丨厦门芯达茂微电子有限公司参展第103届中国电子展
发布时间：3.21.2024,来源：
第103届中国电子展将于4月9-11日在深圳会展中心举办，本届展览汇集以基础电子元器件为技术牵引，拓展物联网、智能制造、5G、特种电子、新能源汽车、大数据等核心技术的应用创新。
同期举办中国电子信息博览会等多场电子行业活动，展览面积总计超十万平方米，汇集逾千家展商，共同为产业发展助力，为企业腾飞加油。
展位号：9B501
EXHIBITOR PRESS
厦门芯达茂微电子有限公司
厦门芯达茂微电子有限公司是一家专业的半导体芯片及方案设计公司，以对标国际一流品牌、实现国产替代为己任，致力于第三代半导体及各类功率器件的研发、设计和应用。
公司经过多年的产业化研发、量产改进、市场验证，现已提出数十项专利。2019年公司首款隔离式栅极驱动IC面世；2020年IGBT单管、模块顺利量产；2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市；2022年荣获国家级高新技术企业认定；2023年车规级IGBT大功率模块、车规级SiC芯片面世。
参展展品
IGBT系列
XP06G60AS0-CJPL
（封装DIP25）
XP015PJS120CL1B1
（封装EasyPack B1）
XD030H065CX1S3
（封装TO-247-3L）
Econo Dual3
IGBT系列产品采用沟槽结构+场截止技术（Trench+FS）。晶圆元胞区和终端场板的特殊设计，实现IGBT具有高可靠性和电参数一致性优的特点。适用于电机控制（变频器）、逆变器（光伏、储能、UPS）、新能源汽车（车载、充电桩）等领域。
参展展品
SiC MOSFET系列
XD650B170AV1S3（封装TO-247-3）
XD030B065AV1S5（封装TO-247-4）
FF06100G
（封装DFN 8X8）
SiC MOSFET系列产品拥有绝佳的栅极氧化层可靠性，极低的开关损耗和导通损耗，与硅基MOSFET管和IGBT兼容的驱动（+18V），充足的短路抗雪崩能力等特点。适用于车载OBC，逆变器，充电模块，轨道交通，新能源发电，电机驱动，储能系统等领域。
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