苏州镓创晶合科技有限公司将携带数据中心电源、两轮电动车电源、大功率照明电源等展品亮相2025年4月9-11日在深圳会展中心（福田）举办的第十三届中国电子信息博览会（CITE2025），诚邀您莅临核心先导元器件馆【9号馆9B720】展位参观、沟通洽谈合作。

苏州镓创晶合科技有限公司是一家专注于氮化镓（GaN）功率器件制造、应用方案设计的高科技企业。镓创晶合北京研发中心的技术团队由来自中科院半导体所、清华大学的顶尖专家组成。镓创晶合是中科重仪全资子公司，采用其优质的氮化镓材料，深刻理解并充分发挥氮化镓的材料特性，尤其在大功率领域器件性能表现卓越，同时氮化镓电源模组相对于传统电源产品具有性能提升，体积减小，综合成本降低的优势，推动电源行业革新和发展。

小体积:比Si基方案体积减少了40%；

高效率:在20%~60%负载下均超96%(钛金+)；

输入电压范围：HL:220-264 VacLL:90-140 Vac；

频率：47-63HZ；

输出功率(C20)：3200W@220Vac-；240Vac,3000W@200Vac-219Vac；

输出电压电流：12.2V/262A；

待机输出电压电流：12V12.5A；

效率：Titanium(>96%@50% load)；

工作温度范围：-5C-+55C；

保持时间：14ms@2400W,12ms@2700W,10ms@320OW

特殊功能：Active current sharingOC/OV/UV/OT1²C。

综合价格低:比SJ MOS-LLC成本减少6.8元；

小体积:比SJMOS-LLC面积减少14%;

电路拓扑设计简单；

输出宽电压；

利用了D-mode GaN高瞬态耐压特点，E-mode产品不能直接替代。

综合价格低:含税50~52，带FPC；

小体积:65*65*22mm³；

高效率:93.36%@90Vac；

方便可靠:Si MOS对应12V驱动；

抗干扰能力强:4V高阈值，强于E-mode 1.8V低阙值抗高压:1200V以上高击穿电压；

散热优:TO220\TO220F\TO252\DFN等封装。